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三靶磁控濺射儀的的優(yōu)點(diǎn)與安裝條件
日期：2026-03-03 12:34
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摘要：
三靶磁控濺射儀是新自主研制開發(fā)的鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。三靶磁控濺射配置三個(gè)靶槍，一個(gè)配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜，兩個(gè)配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備，特別適用于實(shí)驗(yàn)室研究固態(tài)電解質(zhì)及OLED等。
安裝條件
本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水）
2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地
3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶6mm雙卡套接頭）及減壓閥
4、工作臺：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上
5、通風(fēng)裝置：需要
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